Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：顶部散热封装
发布日期：2025-07-09 18:12
最近Wolfspeed的破产消息给业界带来了不小的震撼，虽然在资本层面面临危机，不过Wolfspeed当前的业务还是在正常推进的。Wolfspeed本周推出了新型的顶部散热封装碳化硅MOSFET和肖特基二极管产品，通过顶部散热（TSC）封装，可以显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局灵活性。本次新推出的U2系列产品全系采用顶部散热封装，提供650 V 至 1200 V 多种电压选项，面向电动汽车车载充电机及快速充电基础设施、电动汽车与工业暖通空调（HVAC）电机驱动、高电压 DC/DC 转换器、太阳能及储能系统、工业电机驱动、工业电源等广泛应用领域。U2系列提供满足 JEDEC 与 AEC-Q101 标准车规应用认证的选项，具备低剖面、表面贴装设计；顶部散热，热阻（Rth）低；碳化硅（SiC）MOSFET 电压范围：750 V 至 1200 V； 碳化硅（SiC）肖特基二极管计划覆盖 650 V 至 1200 V。U2系列的优势包括SiC顶部散热（TSC）封装中最大的爬电距离；通过优化 PCB 布局实现更高系统功率密度；表面贴装设计支持大规模量产。
大多数标准表面贴装分立功率半导体器件通过底部与 PCB 直接接触的方式散热，并依赖安装在 PCB 下方的散热器或冷却板。这种散热方式广泛应用于各类电力电子场景，尤其在 PCB 安装空间和散热器重量不受限制的应用中尤为常见。相比之下，顶部散热（TSC）器件通过封装顶部实现散热。在顶部散热（TSC）封装内部，芯片采用倒装方式布置于封装上层，使热量能够直接传导至顶部表面。这类器件特别适合汽车及电动交通系统等高性能应用场景——这些领域对高功率密度、先进热管理方案和小型化封装有着严苛要求。在这些应用中，顶部散热（TSC）器件通过实现最大功率耗散并优化热性能，有效满足了系统的冷却需求。
顶部散热（TSC）设计还实现了 PCB 的双面利用，因为底板表面不再需要为散热器预留接口。将散热器从热路径中移除，不仅显著降低了系统整体热阻，还支持自动化组装工艺——这一优势可大幅提升生产效率，从而打造出更具成本效益的解决方案。
Wolfspeed 提供的SpeedVal Kit模块化评估平台为工程师提供了一套灵活的构建模块，可在实际工作点对系统性能进行电路内评估，从而加速从硅器件向碳化硅（SiC）的转型过渡。最新发布的三相评估主板不仅支持高功率静态负载测试，更能为先进电机控制固件的开发提供基础平台。同时针对U2系列的器件，Wolfspeed即将推出 13 kW 电机驱动参考设计，该设计为车厢、电池及电子设备提供全面的热管理解决方案。通过采用SiC技术优化 HVAC 系统效率和温控范围，系统设计人员可实现 15 分钟内完成快速充电，并延长车辆单次充电续航里程（全生命周期有效）。基于 Wolfspeed 最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 参考设计，碳化硅技术带来图中诸多优势，包括延长单次充电续航里程、提升快速充电期间的可靠性、减小系统尺寸和降低环境噪音等。
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