第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2）-信息-中自网-中自网

栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大。但是，另一方面，栅极正向电压越大，短路电流值也越大，器件短路耐受时间就会缩短。因此，栅极正向电压根据具体应用工况及系统可靠性要求来确定。