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充电5分钟,续航200km!小鹏推国内首个800V高压SiC平台?

发布日期:2021-10-25 13:52浏览次数:3038


日,小鹏汽车表示,将推出国内首个量产800V高压SiC(碳化硅)平台,该平台可实现充电5分钟,补充续航里程200km的能力。


在“1024小鹏汽车科技日”上,小鹏围绕充电技术与自动驾驶发布了多项战略规划。


小鹏汽车将推出国内首个量产800V高压SiC(碳化硅)平台,此平台将支持充电5分钟、续航200公里,充电峰值电流将大于600A,电驱最高效率超过95%。


此外,小鹏汽车称将推出配套的480kW轻量化设计的高压超充桩以及可一次满足30辆车的储能站,自研储能充电技术以缓解高峰时段车主的补能需求。


根据小鹏汽车官方给出的数据显示,目前小鹏汽车已建设439座品牌超充站、1648座充电站。



业内公认,新能源汽车将是第三代半导体SiC/GaN的核心战略市场。


当前,市面上在售新能源汽车所搭载功率半导体多数为Si基器件,如Si IGBT和Si MOSFET。随着技术和产品的成熟,SiC器件将逐步替代大部分Si基产品,大大提高汽车续航里程并优化整车架构。


国内,比亚迪、小鹏、蔚来、吉利等车企开始全方位布局,以SiC“上车”作为目标。其中,比亚迪汉EV是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型,公司目前在规划自建SiC产线。


SiC厂商方面,国内已形成了较为完整的SiC材料产业链。


衬底方面,如山东天岳、天科合达、中科钢研节能、世纪金光等;外延片方面,主要有瀚天天成、天域半导体、世纪金光等;器件制造方面,有厦门三安集成、海威华芯等;而IDM企业主要有泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽以及中电科十三所、中电科五十五所等。

 

受益于以SiC为首的第三代半导体下游领域需求的增加,国内政策的推动,中国第三代半导体产业发展潜力巨大。