×

×

SiC领域又一强强联合!

发布日期:2022-01-12 15:00浏览次数:421


 1月10日,法国半导体材料商Soitec宣布携手新加坡科技研究局A*STAR下属的全球性研究机构微电子研究所IME共同开发用于电动车及高压电子产品的SiC。

 

根据合作协议,双方将充分利用Soitec的Smart Cut™等专有技术,结合IME的8英寸SiC试产线制备200mm SiC衬底。

 

 

据悉,IME建设的8英寸SiC试产线目的是在实现8英寸产品量产前,对8英寸制造工艺和设备进行验证。与此同时,该项目旨在对SiC MOSFET创新工艺及Smart Cut™ SiC等材料开展应用研发,为制造下一代SiC奠定基础。

 

Soitec表示,本次合作研究将有助于开发出全面的SiC生态系统,并提升新加坡及法国当地的半导体制造能力,双方的联合研究预计持续到2024年中,目标成果包括两个方面。

 

一是为Smart Cut™ SiC衬底开发SiC外延及MOSFET,以制造出更高品质的晶体管,并在制程期间降低缺陷率、提升良率。二是为基于Smart Cut™ SiC衬底制备的SiC功率MOSFET器件建立一个基准,同时展示出该工艺相比传统大衬底工艺的优势。

 

Soitec表示,SiC材料发展潜力巨大,而先进的外延解决方案有助于生产出具备各种能效特性的高质量SiC 晶圆,本次Soitec与IMEC的合作也将为发展高端外延解决方案铺路。

 

据介绍,Soitec致力于为智能手机、平板、电脑、IT服务器、数据中心及电子元件(用于汽车、联网器件、工业设备、医疗设备)等诸多领域的芯片提供产品。

 

2021年11月以来,Soitec在SiC领域大动作连连。

 

一方面,Soitec宣布收购了SiC晶圆抛光和回收公司NOVASiC,旨在结合Smart Cut™工艺,用多晶SiC衬底来提高单晶供体SiC衬底的重复使用率、良率及性能。

 

另一方面,Soitec又携手全球电力和先进材料领域专家美尔森(MERSEN),目标是共同为电动汽车市场开发多晶碳化硅(poly-SiC)系列衬底。

 

可以看到,加上此次与全球性研究机构微电子研究所IME达成战略合作,Soitec在SiC领域的合作伙伴矩阵进一步扩大,有助于其持续向SiC领先企业转型。未来,通过融合各方在不同领域的强项技术和优势资源,Soitec可望在SiC领域提升知名度和市场影响力,同时助推高质量SiC在电动车等应用领域的大规模商用化。