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source:晶升股份
晶盛机电于2023年6月宣布成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式SiC外延生长设备。据介绍,该设备可兼容6/8英寸SiC外延生产,在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上,解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。
特思迪8英寸SiC全自动减薄设备已投入市场、8英寸双面抛光设备已通过工艺测试进入量产阶段。2023年12月,特思迪完成B轮融资,所获资金将进一步推动公司在技术突破、产能扩充、产品研发、产业布局、人才引进等关键环节的发展进程,加快8英寸SiC等半导体材料磨抛设备的国产化。
电科装备在2023上海国际半导体展览会上发布了最新研制的8英寸SiC外延设备。该设备有三个突破性的指标,分别是采用该设备生产的8英寸生长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、表面致命缺陷小于0.4个/cO。纳设智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延设备。该设备具备独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式以及智能的控制系统,将更好地提高外延片的均匀性,降低外延缺陷及生产中的耗材成本。