近日，台达电宣布斥资3.2亿元新台币成立碇基半导体筹备处，锁定第三代半导体，并从设计端切入。另一台台厂台亚也宣布目前积极转型往半导体产业发展，扩大招募半导体专业经理人及研发人员加入团队，目标在抢攻次世代感测元件于工业应用、电动车电源、感测芯片等利基市场。
台达电进军第三代半导体
斥资3.2亿新台币成立碇基半导体“筹备处”
6月24日，据台媒《经济日报》报道，台达电进军半导体领域，昨（23）日宣布斥资3.2亿元新台币成立碇基半导体筹备处，锁定第三代半导体，并从设计端切入。未来，不排除台达电再引进合作伙伴加入，以壮大实力。
报道称， 业内人士解读，台达电以全球电源供应器龙头之姿加入第三代半导体行列，虽然初期仅先投资3.2亿元新台币成立“筹备处”，但意义重大，凸显第三代半导体后市受到国际大厂高度期待。
台达电表示，将先成立碇基半导体，进入前端电源技术与第三代半导体的研究开发与相关产品生产与销售。未来，台达电希望藉由掌握上游端设计，提供关键半导体零部件，进而掌握第三代半导体应用趋势，且不排除引进半导体相关战略合作伙伴。
台达电指出，碇基半导体暂定资本额4亿元新台币，台达电持股八成，其余股权由旗下子公司台达资本、创始员工认购各半。碇基半导体主要掌舵的关键人物为台达资本董事长刘亮甫，以及原台达电先进元件与模组事业部主管邢泰刚。
报道指出，据了解，碇基半导体初期锁定600伏电源供应器等产品。外界看好，由于5G通讯、电动车、高功率电源等新兴应用对功率元件效能需求提高，以及氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）在耐高温、高电流环境下仍有极佳效能，加上全球开始重视碳排放问题，高能效、低能耗的氮化镓及碳化硅成为第三代半导体的新世代商机。
台亚积极布局第三代半导体
SiC、GaN有望在明年陆续向客户送样
据台媒《工商时报》报道，台亚6月23日召开股东会，新任总经理衣冠君会后受访时表示，目前积极转型往半导体产业发展，扩大招募半导体专业经理人及研发人员加入团队，目标在抢攻次世代感测元件于工业应用、电动车电源、感测芯片等利基市场。
Opto Tech Corporation (OPTOTECH) 是提供光电半导体整体解决方案的专业制造商， 从LED磊晶材料、晶粒制造、组件封装、到LED应用产品的生产制造。公司成立于1983年，企业总部位于台湾新竹科学园区，台亚半导体股份有限公司从园区的一家小厂开始，以生产销售发光二极管晶粒起家，陆续推出硅基型光电二极管 (Photodiode)、光敏晶体管 (Phototransistor)、齐纳二极管 (Zener diode) 等组件，近期并持续推出砷化铟镓光电二极管 (InGaAs PD)、垂直共振腔面射型雷射 (VCSEL)等新产品。拥有30多年的制造与销售经验，台亚始终以客户需求为优先考虑，对于产品质量与顾客服务，在公司核心价值的带动下，我们所提供的产品不仅符合国际工业标准，亦能满足专业使用的要求，并透过优良的研发团队与精湛的制造技术，不断地开发更多创新的设计与性能卓越的商品。
除了次世代感测元件，台亚2021年开始筹建积亚半导体（Pro-Asia Semiconductor Corporation）专注开发以碳化硅（SiC）衬底的高功率元件。今年更进一步规划下半年扩大台亚现有厂房洁净室区域，投入氮化镓（GaN）磊晶及元件的研发及生产，预计于2023年前提供样品供合作客户进行验证。
台亚新任总经理衣冠君表示，台亚过去在磊晶及分离器件制造技术上已有相当深厚的基础，将扩大加强与上游IC设计公司及下游封测及产品的合作，将可于短时间内制作出高电子迁移率晶体管（Power HEMT）样品，提供给客户进行验证。
台亚将以氮化镓为基础的第三代半导体的功率器件作为主要产品，其相对于硅基的元件可以耐更高的电压，比起碳化硅的元件能有有更低的功耗，未来将结合氮化镓与碳化硅，发展出高频高效的射频器件及模块。
台亚新总经理衣冠君曾任半导体设备大厂科林研发资深总监、德州仪器、茂德、茂硅等半导体公司，拥有超过20年丰富半导体制造厂管理经验。台亚半导体公司自2019年由光磊科技更名以后，持续推动产品由光电朝向硅电多元化发展。而为应对市场需求成长，台亚于今年将投入8亿元新台币扩产高阶产品，包括高性能光耦元件、长波长VCSEL/LED、与长波长PD等，新产能自今年上半年开始拉升。
衣冠君进一步透露，台亚在于第三代半导体的时程规划与目标，未来将持续采稳健的投资以支持第三代半导体研发及应用，争取在全球众多竞争者中脱颖而出。
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