这里有你的一份IEGT速递，请签收
发布日期：2022-07-29 17:22浏览次数：15220
对于大多数电子工程师而言，IEGT似乎是一个比较陌生的名词，在现实使用环境中往往将IEGT当成增强型的IGBT来使用，特别是在一些特定的高压大容量场合中常常能见到它的身影。由于IEGT在功能上继承了GTO和IGBT的特征优点，因此在各种大功率变流器中都有着不俗的表现。为了使大家更了解IEGT的特性，下面以东芝半导体研发的IEGT产品ST2000GXH32为例进行说明。
图：IGBT、IEGT芯片剖面载流子分布
IEGT有两种封装形式：PMI和PPI，ST2000GXH32属于PPI封装形式，PPI是一种由东芝率先商业化的独特封装IGBT器件形式，具有可靠性高、功率密度大、防爆性能优异、方便压接使用、方便器件串联等优异特点。
图：ST2000GXH32封装效果图
在电气特性方面ST2000GXH32的额定电流为2000A，额定集电极-发射极电压为4500V，集电极-发射极饱和电压（最大值）为3.3V，二极管正向电压（最大值）为3.4V，并且器件在开关使用中所造成的能量损耗也是比较小的。基于PPI的高可靠性、高功率密度特性，双面冷却、易串联的特点，ST2000GXH32可用于高压直流输电工程。除此之外，该产品还可以安装在电力系统中，用作静止无功补偿装置，有助于提高电力质量和功率因数等。它也可以安装在高频变压器中，例如在大容量轧钢设备中使用的IEGT变频器，就是充分利用了串联、双面冷却的特点。
图：IEGT在直流高压电路中的简化设计图
在上世纪九十年代，东芝率先通过栅极注入增强技术降低IGBT器件的静态损耗，并且以栅极注入增强技术（Injection Enhanced Gate Transistor）的首字母注册了东芝专属的IGBT器件名称——IEGT。东芝半导体是全球先进的半导体生产设计制造公司，致力创新和突破传统元器件的特有属性，在保证可靠性能的前提下进一步提升芯片的功能属性和稳定特性，帮助市场更好服务大众。
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