×

×

国产IGBT破冰前行,巨额融资加速上市步伐!

发布日期:2020-05-29 11:45浏览次数:36911

  最近两会关于功率半导体的提议引起了社会的广泛关,功率半导体新材料研发有望列入国家计划,众人纷纷将目光投向半导体产业。功率半导体广泛应用于工业、汽车、消费电子、高铁、空调、洗衣机、电网等领域,是实现电气化转换的关键技术,因此,推进功率半导体国产化意义重大。
 
  作为国产功率半导体行业的代表企业,比亚迪5月26号晚发表了公告,称其控股子公司比亚迪半导体成功引入了投资,获红杉资本中国基金、中国资本、国投创新领投、中金资本等在内的14位投资者,合计融资金额为19亿元。
 
  比亚迪半导体的前身是深圳比亚迪微电子有限公司,该公司在2020年初完成了重组,成为一家独立的半导体企业,并改名为比亚迪半导体,公司主营集成电路、IGBT、LED发光二极管及新型电子元件。IGBT是资本市场关注的热点之一,此次融资和IGBT的走热不无关联。
 
  估值已接近百亿
 
  此次融资离上次比亚迪战略公布仅仅42天,在融资之前比亚迪半导体的估值是75亿元,那么增资19亿元之后,公司估值就变成95亿元。此前,中金公司对于比亚迪半导体拆分上市的估值是300亿市值,目前这个估值数字已经达到了三份之一。
 
  比亚迪之所以拆分半导体公司主要目的是为了提升子公司独立性,以便于进行资本扩充和产能扩张。体现了比亚迪在充分利用资本市场,来加速业务发展的效果。毕竟半导体产业是一个大投资和高技术门槛的领域,比亚迪表示将积极寻找一个适当的时机将半导体公司独立上市。
 
  至今,比亚迪在半导体领域已有十余年的技术积累,先后推出了IGBT1.0、IGBT2.0、IGBT2.5和IGBT4.0等不同车规的功率器件产品,其中IGBT4.0和国际第五代水平差不多,在诸多关键技术指标上优于市场主流产品,例如其电流输出高出15%,损耗下降20%以及10倍寿命等等。
 
  目前,比亚迪已经掌握了IGBT的设计、制造与测试产业化等技术,并成为国内首家拥有功率半导体完整产业链的车企。虽然,其产品和国际先进水平仍然有一定差距,但在成本方面却有着很大优势。
 
  除了汽车行业的应用市场之外,比亚迪半导体还应用到变频器、焊机和家电等领域,与华为、美的都已有合作。比亚迪半导体的独立有利于进一步开放市场,能找到更大的业务提升空间。
 
  打破国外技术垄断
 
  在电动汽车的制造成本中,占比最大的是动力电池,而第二大是IGBT,占整车成本的7%-10%左右。IGBT负责将燃料电池的直流电转换为交流,从而驱动电力发动机的运转,它决定的汽车的扭矩和输出功率,是影响电动汽车性能的关键技术。
 
  一直以来,功率半导体被海外厂商垄断,在汽车领域应用的IGBT市场中,单英飞凌一家就占了60%的份额,而比亚迪半导体市场占比是20%。目前IGBT的主流厂商有国外的英飞凌、三菱电机、富士电机、安森美、赛米控等巨头,国内有比亚迪、中车时代电气、斯达半导、士兰微等等。
 
  两会期间,民进中央提交了《关于推动中国功率半导体产业科学发展》的提案,这将是功率半导体国产化的重要转折点。一方面有国家政策的大力扶持,另一方面是新能源汽车市场在日益膨胀,本土功率半导体厂商进入了一个最佳的发展时机。
 
  来源:比亚迪官微
 
  不久前,比亚迪在长沙投资10亿的IGBT项目已经动工,该工厂规划了年产25万片8英寸晶圆的生产线,预计能满足50万台新能源汽车的需求。比亚迪此次扩充产能,是为半导体公司进一步开放市场做准备,其IGBT产品除了满足自身电动汽车的需求之外,还考虑超过50%的外供比例。
 
  相关数据显示,比亚迪电动汽车产量每年大概是50万台,截止到目前,比亚迪车用IGBT的安装量已经超过60万只,已成为中国最大的IDM车规级IGBT厂商。这点足以证明了其新一代IGBT解决方案的可行性,比亚迪半导体的突破正在改变IGBT依赖进口的局面。
 
  下一代功率半导体
 
  国内新能源汽车产量的逐步提升,使得IGBT在很长的一段时间供不应求。加上,电动汽车一些新技术,例如自动驾驶、智能联网等概念演进,电动车性能在不断地提升,这将对功率半导体提出新的要求,目前硅材料IGBT已经接近极限水平,如果要进一步发展,厂商将需要寻找新的解决方法。
 
  碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,具有低功耗、高频率、长寿命、体积小、质量轻等优势,是下一代功率器件发展的重要方向。功率半导体厂商一直在寻找支持强电流输出、耐高温且低损耗的材料方案,而碳化硅将是目前最佳的方案之一。
 
  来源:比亚迪官微
 
  比亚迪早已觉察到了这一趋势,并已投入了巨资布局第三代半导体材料碳化硅,研发高性能碳化硅MOSFET控制模块,预计三年后将全面应用到比亚迪所有电动车上。目前该模块已经搭载到比亚迪汉EV车型上,正因为碳化硅MOSFET提升了功率与扭矩,该车百公里加速只需3.9秒。
 
  为了进一进降低成本,比亚迪整合了碳化硅半导体制造的全产业链,包括材料、单晶、外延、芯片、封装等。无疑,碳化硅MOSFET将成为比亚迪汽车性能提升的重要手段,其新一代电动汽车将在加速、续航和节能方面的提升,从而赢得用户的喜爱。
 
  作为中国第一大新能源汽车制造商,比亚迪已经掌握了先进的电池制造和功率半导体技术。此次功率半导体的拆分成功,对于比亚迪来说是重要的里程碑,其电池部门也有可能在未来几年独立出来,这样将获得更大的资本支持和市场空间。
 
  新车型汉EV除了使用最新的碳化硅MOSFET控制模块之外,还采用了比亚迪全新的刀片电池,该技术比传统电池性能提升50%,具有更高的安全和寿命,其最高续航能力超过600公里。