富士电机一直致力于产品的技术革新以满足电力电子装置对于功率半导体模块的小型化，低损耗及高可靠性应用的需求。2021年富士电机推出了基于第七代IGBT模块技术的新一代工业RC-IGBT（Reverse-ConductingIGBT)模块产品系列。RC-IGBT将反向并联连接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到单个芯片上，工作时的等效散热面积更大，可以大大降低结到壳热阻。通过X系列芯片技术的低损耗和基于RC-IGBT的散热性能的提高，逆变器的输出功率密度得以进一步提升一个等级。

RC-IGBT

富士电机提供利用世界最先进技术的IGBT模块，用于环保、节能和自动化领域。同时，特别专注于可以为碳中和做出贡献的电动汽车、风力发电和太阳能发电领域，努力提升产品性能和质量，以更好的服务客户。此外，富士电机将在深圳地区扩建IGBT工厂，灵活应对交货期。

功率半导体作为电力能源的核心部件，富士电机的功率器件在火力发电向风电、太阳能等新能源发电转型的过程中发挥了重要的作用。目前，富士电机提供第7代X系列和RC-IGBT，但未来还将开发第8代IGBT和SiC产品，并努力推进碳中和，以进一步提高性能。

富士电机早在2014年就推出了平面结构的全碳化硅模块应用在本社电力电子部门研发的光伏逆变器（1MW)中。相比较于传统的硅模块，损耗可以降低7成左右，达到了当时的业界最高效率98.8%，获得了市场的广泛好评。2018年推出了基于第一代沟槽栅结构的全碳化硅模块。开发中的第二代SiC-Mosfet，通过芯片减薄和沟槽间距微细化技术T单位面积的导通电阻比第一代降低了23%。另外模块内部的端子结构也进行了重新设计，大大降低了模块的寄生电感。模块的封装外形将继续保持与传统的硅模块的封装兼容避免客户在系统结构上做重新设计，节省开发资源。预计将会在2023年进行量产，主要面向EV、风力发电、太阳能发电、高压变频器等各类高压应用。

SiC模块

保护地球环境，防止全球变暖，实现可持续发展社会（SDGs）已经是全世界的共识。中国政府也在2020年底提出了“2030年前实现碳达峰，2060年之前实现碳中和”的宏伟目标。要实现这些目标，电力电子技术的技术革新和应用领域的扩大是至关重要的。富士电机预计未来工业自动化领域的产业升级将会继续深化进行，光伏和风力发电、电动汽车等新能源产业将会保持持续的高速增长。富士电机也将重点布局新能源领域，今后会进一步加大在中大容量模块的投入。2022年，富士电机计划在保持工业IGBT模块的稳定增长之外，还将加强电动汽车IGBT模块的生产和销售。