2023年以来，众多车企在新能源汽车的续航里程与补能速度上发力，800V车型由此接踵落地，这进一步加速碳化硅规模上车。800V系统平台搭载碳化硅，能有效缓解续航和补能焦虑，因此两者被称为“绝配CP”。

图注：芯联集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽车主驱逆变器

作为稀缺的一站式芯片系统代工解决方案供应商，2023年，芯联集成6英寸碳化硅晶圆厂出货规模已超过月产5000片，且出货量位列中国SiC MOS规模量产出货前列。芯联集成自去年开始量产平面SiC MOS以来，实现了90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器。

碳化硅上车，带来整车效率质的飞跃

随着新能源汽车市场发展的高歌猛进，整车厂都希望提高车辆的表现力，包括更快的充电时间、更持久的续航里程，以及优质的驾乘体验等等，以获得更多市场竞争力，而碳化硅的存在就尤为重要。

碳化硅应用于新能源汽车内部的关键电力系统，包括主驱逆变器、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。与传统硅基器件相比，作为第三代半导体技术，碳化硅因其耐高压、高开关频率、耐高温和低导通损耗等特点，可实现更高的系统效率、更低的损耗和空间小型化，因此在电能转换中得到大规模应用。

芯联集成具备碳化硅产品全栈能力，性能比肩国际先进水平

当下，在碳化硅芯片集中上量的主驱逆变器应用领域，芯联集成已把握先机，成功跻身于国内头部阵营。

技术不断创新，产品快速迭代是芯联集成在短时间内取得市场突破的最大驱动力。从启动碳化硅产线预研，到大批量出货，芯联集成用了三年时间，迭代了三代SiC MOS产品，最新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽车主驱应用量产，具备国际领先的芯片能力。

特别值得一提的是，在备受碳化硅需求应用端关注而又为之苦恼的良率方面，芯联集成第三代1200V SiC MOS达到业界领先的水平。

同时，在影响碳化硅器件性能、故障率和寿命的温度方面，芯联集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作结温，而且具有更好的高温性能：

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了这些优势，芯联集成第三代1200V SiC MOS还支持门极负压关断（推荐门极工作电压-5V/18V），且已通过AQG-324可靠性验证标准，以及加严的DGS、DRB (动态HTGB、动态HTRB)可靠性验证。

及时响应整车厂对于碳化硅的应用需求，芯联集成不仅能提供碳化硅芯片代工，同时具备了从设计、制造到封装、测试的全栈能力，公司可提供包含设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试的一站式芯片及系统代工解决方案，能灵活满足不同整车厂的需求。

芯联集成生产的车载SiC模块，采用高性能的平面栅形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封装技术，产品覆盖750V-1200V全系列，可以分别满足400V和800V车载系统的需求，产品规格如下图，性能比肩国际碳化硅厂商水平。

图注：芯联集成碳化硅模块系列产品

图注：芯联集成单面散热塑封全桥SiC模块，主要用于新能源汽车主驱逆变器等

长板优势已显，未来更为可期。据悉，芯联集成的国内首条8英寸晶圆研发线将于2024年底通线，届时8英寸晶圆带来的成本与产能优势，将更好地满足车企对“增效降本”的追求。