面向新一代功率半导体的碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的研发取得进展，但在化合物半导体中，氮化铝耐高电压的指标最高，因此电力损耗最小。实用化需要实现大口径化，2023年在全球首次成功实现4英蓟４舜谓墒褂妹婊釉吹80%增至99%，达到了可面向实用化进行评估和验证的尺寸。
 

可使用面积与传统量产产品的2英枷啾仍鲋4.5倍，有助于削减成本。此前，基板的边缘存在无法使用的部分，但在制造工序的温度变化等方面下功夫，使之可使用99%。为了今后实现实用化，向数家半导体厂商提供了样品。作为基板，力争2027年前实现可用，2029年前后在使用氮化铝基板的功率半导体的设备上搭载。
 

利用可应对高频率的特点等，预计首先将用于卫星通信和5G基地台。今后计划将口径进一步扩大至6英肌８呒堆芯吭本檬乐毖蟊硎尽附椿辜苹τ糜诔涞缙鞯绕涤猛尽埂
 

此前，旭化成一直在用于杀菌的深紫外线LED上使用氮化铝基板。此次将向设备制造企业提供由美国子公司Crystal IS (纽约州)制造的基板，预计将用于新一代功率半导体和高频设备等。制造的费用不会因基板的尺寸而有太大变化，基板的大型化对旭化成来说也有助于提高利润。
 

在新一代功率半导体用基板方面，各化工企业正在推进开发和生产增强。在GaN基板方面，日本住友化学已形成4英嫉牧坎逯疲φ谀昴谑迪6英嫉目突拦溃饣Ъ乓芽4英嫉难饭┗酢Resonac控股计划在2027年4月以后，增强SiC基板的日本国内产能。