600 V CoolMOS™ 8 600 V QDPAK TSC

这些元件采用SMD QDPAK、TOLL和ThinTOLL 8 x 8封装，不仅简化了设计，还降低了组装成本。在10 V电压下，600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷（Q_g）较CFD7降低了18%，较 P7降低了33%。在400 V电压下，该产品系列的输出电容C_OSS较CFD7和P7降低了50%，关断损耗（E_oss） 较CFD7和P7降低了 12%，反向恢复电荷（Q_rr）较CFD7降低了3%。此外，这些器件的反向恢复时间（t_rr）更短，热性能较上一代产品提高了14%至42%。

凭借这些特性，该系列器件能够在LLC和ZVS 相移全桥等软开关拓扑结构中实现高效率和高可靠性。它们在 PFC、TTF及其他硬开关拓扑中同样具有出色的性能水平。由于优化了R_DS(on)，这些半导体器件拥有更高的功率密度，能使采用硅基超级结（SJ）技术的产品降低到7 mΩ的个位数值。

供货情况

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET样品现已推出。了解更多信息，敬请访问www.infineon.com/coolmos8。