CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless

英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™  MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现最高能效。

Richard Kuncic 

英飞凌功率系统业务线负责人
 

与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™ 晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
 

全新MOSFET产品组合共包含10款产品：5款RDS(on) 级（11至45 mΩ）产品采用开尔文源TOLL和 D²PAK-7 封装以及.XT 封装互连技术。在Tvj = 25°C 时，其漏极-源极击穿电压为400 V，因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。高度稳健的CoolSiC™ 技术与.XT互连技术相结合，使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭借连接技术和低正 RDS(on) 温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。