投资约748亿美元

存储芯片厂商SK海力士押注AI

近日，据彭博社及路透社等外媒报道，半导体存储芯片厂商SK海力士计划投资103万亿韩元（约748亿美元）发展芯片业务，重点关注人工智能和半导体领域。

报道称，韩国SK集团上周日在一份申明中表示，旗下存储芯片厂商SK海力士计划在2028年前投资103万亿韩元发展芯片业务。声明进一步指出，SK海力士计划到2026年确保80万亿韩元（约600亿美元）的资金，将用于投资高带宽内存芯片（HBM），以及为股东回报提供资金，并对超过175家的子公司进行精简。

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经过优化，SK海力士的HBM芯片可与英伟达的人工智能加速器配合使用。而作为押注人工智能的一部分，SK电讯公司（SK Telecom）和SK宽带公司（SK Broadband）将投资3.4万亿韩元用于数据中心业务。

此外，为推动人工智能和芯片业务的发展，SK集团从周一开始成立一个专门负责半导体的委员会，以增强与行业相关附属公司之间的协同作用。该委员会将隶属于该集团的最高决策机构SK Supex委员会，并且已任命SK海力士首席执行官郭鲁正为集团负责人。

SK集团表示，将通过专注HBM芯片、AI数据中心及个性化AI助手等AI价值链服务提高竞争力。

顺应AI潮流

HBM“霸榜”DRAM

在AI服务器出货带动下，HBM占DRAM比重也在快速提升。受惠于HBM销售单价较传统型DRAM高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。

根据集邦咨询此前的数据，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别为2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾30%。

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经过多轮技术迭代，目前HBM已进阶到HBM3e赛道，而随着NVIDIA及AMD AI发展加速，HBM3e也将逐渐成为市场主流。

集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷此前在集邦咨询半导体产业高层论坛上表示，NVIDIA的Blackwell与AMD MI350/MI375全采用HBM3e，特别集中12hi产品，最高容量上达288GB，将有助于延续单一位元均价的持续上升，且于2025年成为市场主流。

整体来看，目前由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2，也因此将助力原厂HBM领域营收进一步增长。集邦咨询此前预计，2024年全球HBM位元供给有望年增105%，同时实现营收2024年达89亿美元，同比增长127%；

原厂产能被提前锁定

明年HBM价格初步调涨5~10%

由于HBM占DRAM比重增加，加上通用型服务器需求复苏，推升供应商延续涨价态势。吴雅婷5月初表示，厂商今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。

在强大的市场需求推动下，各大厂商2024年的HBM产能已被提前订购一空。此外，美光近日还表示，内存芯片供不应求，其2024-2025年的HBM内存芯片已经售罄。事实上，不止美光，SK海力士等厂商2025年订单也已接近满载。据存储芯片供应链近日透露，上游原厂HBM的订单能见度可达2026年一季度。

2022年HBM市场份额中，SK海力士一家独大，独占50%，三星约40%，美光10%。为应对AI人工智能带来的巨大前景，SK海力士、美光、三星都在通过增加投资额、兴建工厂等一系列举措全力提升HBM产能。

例如美光为提升HBM市场份额，此前已经宣布了多起建厂计划扩建HBM产能。美光的目标是，计划在2025年将HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。至于三星，该公司副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong今年3月曾表示，预计今年HBM产量将增至去年的2.9倍，2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍，到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年的23.1倍。