2021财年，英飞凌业绩表现亮眼：总营收为110.6亿欧元，同比增长29%，总运营利润达到20.72亿欧元；运营利润率为18.7%。整个财年的营收首次突破了110亿欧元，同时盈利能力显著提升，业务增长势头比以往任何时候都更加强劲。
英飞凌科技工业功率控制事业部市场总监 陈子颖
据英飞凌科技工业功率控制事业部市场总监陈子颖介绍，从英飞凌工业功率控制事业部在2021财年第四季度的业务表现不难看出，在新能源市场的带动下，功率半导体需求持续高涨。此外，工业驱动和家电等应用市场也是持续向好。
2021年，英飞凌为电机驱动应用建立了IGBT7 全系列产品。Easy B和Econo封装也已经拓展到中功率EconoDUAL™3 和62mm， EconoDUA™3最大电流做到了900A，比IGBT4 600A 1200V增加了50%。
IGBT7是继IGBT4上市后一个重要的产品，它采用微沟槽技术，损耗比IGBT4低，而且允许过载时的工作结温达175度，这样定义产品符合应用实际需求。IGBT7的高功率密度使应用系统的功率密度也大幅提高。譬如汇川技术采用IGBT7的伺服驱动SV660 1kW，比采用IGBT4的上一代产品IS620体积减小39%。
电机驱动是功率半导体的重要应用，英飞凌的电机驱动方案覆盖几十瓦到几十兆瓦的各类应用。功率半导体产品包括IGBT、SiC MOSFET，采用IGBT、MOSFET和SiC 的IPM和高压大电流晶闸管以及电机驱动芯片iMOTION™。应用领域包括大小家电、低压中压变频器、伺服驱动器、机车牵引、风力发电等。
英飞凌可以为电机驱动提供完整的电机驱动解决方案，不局限于功率半导体。开发的22kW通用变频器的参考设计，采用了英飞凌最新的EasyPIM™3B封装的IGBT模块FP100R12W3T7_B11、电流传感器TLI4971-A120T5、栅极驱动器 1ED3131MC12H、1.7kV SiC-MOSFET IMBF170R1K0M1以及微控制器XMC4800-F144F2048和XMC4300-F100K256，参考设计使得客户能够在一个系统中评估这些产品。
22kW通用变频器的参考设计
EasyPIM™3B封装的IGBT模块FP100R12W3T7_B11
半导体是技术含量非常高的产业和产品，需要在技术上不断创新才能保证市场竞争力，英飞凌一直引领功率半导体的芯片技术，不断提高能效，提高功率密度。英飞凌也是功率模块封装技术的创新者，开发的封装形式纷纷成为工业标准。
英飞凌是100亿欧元体量的半导体公司，产能也是其核心竞争力之一。英飞凌不断投资扩大产能以满足市场需要。2021年9月，位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。这座以“面向未来”为座右铭的芯片工厂总投资额为16亿欧元，是欧洲微电子领域同类中最大规模的项目之一，也是现代化程度最高的半导体器件工厂之一。同时，英飞凌无锡工厂正在扩充IGBT和功率半导体的产线。扩产完成后，将成为英飞凌全球最大的IGBT生产中心之一。
了解客户需求，是英飞凌产品开发的重要输入。电力电子技术和应用发展很快，中国客户有不少创新的技术和应用需要创新的功率半导体产品来实现，英飞凌与客户合作，为客户、为应用市场一起定义产品，使得客户的产品更有竞争力，促进电力电子应用的发展。
英飞凌拥有完整丰富的产品系列，工业驱动器领域，可以提供整体半导体解决方案。功率半导体IGBT模块是最常见的解决方案，CoolSiC™ MOSFET是针对高度集成驱动器的最佳解决方案。通过使用碳化硅MOSFET技术，开关和导通损耗被最小化，这使被动冷却成为可能。对于苛刻的环境，如钢铁行业，英飞凌的高级H2S保护技术为保护半导体免受腐蚀性气体损坏提供了一个可靠的解决方案。
英飞凌专注于那些与人们的生活密切相关、与当前的市场需求密切相关的应用，以及长期发展所必需的领域，以改善人们的生活、推动社会发展、助力实现气候目标。
电气化和数字化是塑造未来十年的时代大趋势，这条主线一直推动着英飞凌不断前行。起初，英飞凌专注于提升电气领域的能效，这一举措已经为减碳降耗做出了贡献。现在，英飞凌更多地关注整个电力全产业链；与此同时，利用英飞凌创新的半导体科技推动数字化进行，以减少资源的消耗。
英飞凌以这两大趋势为目标来统筹和规划业务。作为一家半导体公司，英飞凌的愿景是实现数字和现实世界的连接，让人们的生活更便利、更安全、更环保。未来英飞凌将持续聚焦电气化和数字化，重点在未来出行、物联网、能源效率三个方向进行业务布局。
在碳达峰、碳中和的大趋势之下，英飞凌希望通过持续的材料、技术与应用创新，为智能汽车、智能楼宇、智能楼宇、智能工厂、数字基础设施等丰富的应用场景提供低碳互联的系统级解决方案。2022年，英飞凌将继续聚焦电气化和数字化，鉴于节能、互联的世界对半导体的需求持续高速增长，英飞凌将保持强劲增长。同时，英飞凌正显著加大投资力度，抓住增长机会，包括持续扩大硅以及碳化硅和氮化镓化合物半导体的产能等。
从2001年英飞凌推出全球第一颗SiC二极管开始，距今已有20周年。英飞凌一个以技术创新为顶层价值观的公司，这会倒逼公司去拥抱新的材料、新的技术。SiC毕竟是新材料，所以从材料、供应链到应用的成熟性需要一个过程，时机是很重要的，而英飞凌在产品的技术研发方面是比较慎重的，对产品质量管控比较严格，为了向用户提供品质、可靠性更好的SiC产品，英飞凌花了30年时间不断进行技术打磨和沉淀。
可以用“立足长远、厚积薄发”来形容英飞凌在SiC领域的发展历程。在过去20年中，英飞凌实现了非常多的SiC技术创新。英飞凌在全球已经拥有超过3000家SiC的活跃用户，发布了200款CoolSiC产品，其中有50%以上产品源自于客户定制。
接下来，英飞凌在SiC领域的发展还将继续“提速”。随着SiC整个供应链的不断成熟，以及英飞凌SiC器件在量产上经验的充分积累，英飞凌内部已经成立了专门的SiC加速项目，推动研发项目的加速和营收增长，无论是新品发布还是市场覆盖，英飞凌在市场端会变得越来越活跃。
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