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探索新的驾驶世界!东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线

发布日期:2024-08-09 17:01浏览次数:355


 极致的驾驶体验除了拥有卓越的性能,更需要高效的功耗控制实现长距离行驶和碳排放降低,让驾驶乐趣和节能效率并存!正是因为考虑到能源优化,东芝对有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET产品线进行拓展,新增三款采用SOP Advance(WF)封装的40V N沟道MOSFET。产品型号分别为XPHR9904PSXPH2R404PSXPH3R304PS,目前均已量产。

 

这几款新产品采用了U-MOSIX工艺降低漏源导通电阻(此前发布的XPHR7904PSXPH1R104PS同样使用该工艺)。XPH2R404PS的漏源导通电阻为2.4mΩ(最大值),与东芝现有产品TPCA8083相比,约降低了27%;XPH3R304PS的漏源导通电阻为3.3mΩ(最大值),与东芝现有产品TPCA8085相比,约降低了42%;而XPHR9904PS的漏源导通电阻为0.99mΩ(最大值)。这些产品的漏源导通电阻的降低将有助于实现车载设备的低功耗。

 

新产品已通过车载器件可靠性标准AEC-Q101认证。IATF16949标准的生产件批准程序(PPAP)亦适用于这些产品。此外,其封装方式为表贴式封装SOP Advance(WF),具有可焊锡侧翼引脚结构,便于对电路板贴装状态进行自动目视检测(AVI)。

 

这几款新品可应用于电机驱动器、开关电源、负载开关等汽车设备中。其特性如下:


 低导通电阻

XPHR9904PS: RDS(ON)0.99mΩ (最大值)(VGS10V)

XPH2R404PS: RDS(ON)2.4mΩ (最大值)(VGS10V)

XPH3R304PS: RDS(ON)3.3mΩ (最大值)(VGS10V)

�� 符合AEC-Q101认证标准

�� IATF16949的PPAP也适用

 

(在Ta25°C条件下,除非另有规定)