用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片图示

三菱电机集团近日（2024年8月20日）宣布，将从2024年10月1日起开始提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管（PD）芯片样品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片，将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据，从而扩大光收发器的通信容量，从而有助于提高数据中心内的通信速度和容量。

在物联网技术发展的背景下，随着连接到网络的终端数量的增加、高分辨率视频流的扩展以及生成式人工智能技术的普及，数据通信量呈指数级增长，对网络速度和容量的需求比以往任何时候都更加迫切。特别是在市场增长迅速的数据中心，通信速度正在从400Gbps向800Gbps甚至1.6Tbps转变。光纤收发器面临的挑战是，在用于发射的光学设备中，产品可支持下一代800Gbps和1.6Tbps，而在用于接收的光学设备中，满足性能要求的产品较少。

继三菱电机于2023年4月推出用于光传输的芯片200Gbps（112Gbaud四电平脉冲幅度调制[PAM4]）电吸收调制器激光二极管（EML）之后，即将推出用于光接收的200Gbps PIN-PD芯片。利用多年来在光学器件设计和制造中积累的专门知识，三菱电机开发了一种新的PD芯片，通过采用背面入射结构和凸透镜集成结构，尽可能缩小光电转换区域，从而实现高速传输。

产 品 特 点

集成了背面入射和凸透镜结构，用于数据中心的高速、大容量通信

该芯片结构集成了背面入射和聚光凸透镜，最大限度地减小了光电转换面积，实现低电容，可达到200Gbps高速传输（112Gbaud PAM4），是传统主流产品（100Gbps）的两倍。

配备4个新型PD芯片的光收发器可实现800Gbps通信，8个芯片可实现1.6Tbps通信，为高速、大容量数据中心做出贡献。
 

集成背面入射和凸透镜的PD芯片结构横截面图

使光收发器的组装效率更高，制造成本更低

与传统结构相比，凸透镜的光接收面积增加了约四倍，使新的PD芯片能够接收到略微偏离中心的入射光。消除了对入射光精确对准的需要，有助于提高光收发器的组装效率。

通过将PD芯片的电极与信号放大IC或基板上的倒装芯片封装相对应，可以消除组装光收发器时的导线连接工序，有助于降低制造成本。
 

通过集成凸透镜扩大光接收区域

倒装芯片封装

主要规格

环保意识

本产品符合RoHS指令2011/65/EU和（EU）2015/863。

网站

有关光器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/opt/

*背面入射：一种结构，其中引脚结位于半导体衬底的前侧，允许入射光在相反（背）侧被接收。

**倒装芯片安装：将一个芯片倒装在另一个组件上的方法

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment