CoolGaN™ G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合

英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：“这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。

CoolGaN™ G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ；CoolGaN™ G3 80 V将采用 3.3x3.3 RQFN 封装，典型电阻为2.3 mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。

此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。 

供货情况
采用 RQFN 封装的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶体管样品将从2025年4月开始提供。