TOLL封装的OptiMOS™ 6产品组合

这款新型车规级MOSFET系列是基于英飞凌第六代OptiMOS™技术开发而成。所有型号均提供两种漏源电阻级别，额定电压等级均为150V，并在同级别中实现最低的RDS(on)，最低可达2.5 mΩ。这一特性能有效降低导通损耗，并显著提升整体效率。在多个MOSFET并联配置时，栅极阈值电压（VGS(th)）的紧密分布特性可实现理想的同步性能，这对高功率汽车系统尤为重要。新产品的另一个特点是在高频应用中呈现极低的开关损耗，可在诸如现代DC/DC转换器等高速开关应用中高效运行。在热性能方面，该产品各型号的热阻值可低至0.4 K/W，大幅提升了散热能力。这种优势不仅减少了系统级散热设计的复杂性与需求，还显著降低了相关成本，为系统设计带来更加经济高效的解决方案。

三种封装各具优势：10x12 mm² TO无引线（TOLL）封装可实现紧凑设计；10x12 mm² TOLG封装与TOLL的布局兼容并采用鸥翼引脚设计，具有优异的热机械应力抗性；10x15 mm² TOLT封装采用顶部散热设计，可实现系统层面的高效热量传导，非常适用于空间受限环境中的高热负荷应用。此外，英飞凌OptiMOS™ 6 150 V MOSFET已通过英飞凌汽车质量的最高标准认证，其性能超越AEC-Q101标准要求。同时，这些器件还支持生产零件批准程序（PPAP），可轻松满足最高等级的汽车生产要求。综合这些特性，工程师能够在有限的预算内针对特定性能需求优化系统设计。

供货情况

OptiMOS™ 6 车规级150V MOSFET系列的TOLL、TOLG和TOLT封装版本现已上市。了解更多信息，请访问infineon.com/150VMOS。