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为期三天的 PCIM Asia 2026 在深圳圆满落幕。这三天里，我们在深圳国际会展中心16E01与您热烈交流，共同探讨功率半导体的未来趋势。
从惊艳亮相的 SiC SLIMDIP 到新突破的 第8代 IGBT，三菱电机的每一次技术展示，都离不开您的关注与支持。让我们带着这份收获与感动，回顾本次展会的精彩瞬间
全 SiC SLIMDIP
定向优化：内置专为SLIMDIP封装优化的SiC-MOSFET芯片。
性能提升：显著提高输出功率，有效降低功率损耗，提升家电能效。
高适配性：适配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸与特性。
混合 SiC SLIMDIP
巧妙组合：采用同一IC驱动并联的 SiC MOSFET（低电流下低导通电压）与 Si RC-IGBT（高电流下优异导通特性）。
优势互补：实现了全工况下的功率损耗显著降低。
核心价值：更小的体积，更高的能效，为绿色智能家居提供强劲“芯”动力。
为了进一步提高功率密度，三菱电机开发了第8代 IGBT模块。通过采用分段式沟槽栅结构及背面等离子体层结构，在减薄芯片厚度的同时显著降低功率损耗，并扩大芯片面积以降低结壳热阻。
规格重大升级：
LV100封装：从第7代的 1200V/1200A 提升至 1200V/1800A
NX封装：新增面向电机驱动的 2.5kViso 产品，覆盖 300-1000A 电流范围。
绿色意义：同等体积逆变器可转换更多电能，提高发电效率，降低系统成本，有力助推绿色能源转型与“双碳”目标达成。
样品渲染图：沟槽栅SiC MOSFET晶圆| 沟槽栅SiC MOSFET裸芯片布局
针对电动汽车（xEV）e-Axle系统应用，三菱电机于2026年6月起提供两款新型样品：1200V/6.8mΩ 和 750V/4.8mΩ。
四大核心优势：
性能强化：采用独有沟槽栅结构，导通电阻比现有产品降低约 25%，达到业界先端水平。
技术创新：FSC结构 + 新型沟槽栅 + 斜角离子注入技术，大幅提升元胞密度与电流传导效率。
质量稳定：独有工艺抑制体二极管退化，先进栅氧化层技术精准控制开关损耗和电阻波动。
应用价值：提升e-Axle性能，缩小产品体积，延长续航里程，并通过抗退化设计保障长期可靠性。
虽已告别PCIM 2026 深圳站，但三菱电机从未停下追求技术创新、助力可持续发展的脚步。
感谢每一位莅临展台的朋友，感谢您的关注与支持！ 明年，我们相约再度同行，共同探索功率半导体的无限可能！
👋 See You Next Year!
