日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”。由环球资源GlobalSources旗下领先行业媒体《电子工程专辑》、《国际电子商情》及《电子技术设计》共同颁发的“2014中国年度电子成就奖”（The China Annual Creativity in Electronics Awards 2014）颁奖典礼于9月2日在“第十九届IIC-China”（IIC-China研讨会暨展览会）期间举办。

超级结MOSFET

东芝在电源AC-DC转换中使用的高压MOSFET（HV-MOSFET）方面开发出超级结MOSFET，称此结构为Deep Trench MOSFET（DT-MOS）。目前东芝正在扩充第四代产品，与前三代开发出的DT-MOS制造工艺有所不同，从多层外延（Multi-Epi）到单层外延（Single Epi）可以说是一个很大的改变。由于制造工艺的难度很大，如今采用单层外延构造的生产厂家逐渐减少，而东芝至今在单层外延型构造方面仍进行着积极的开发。由于采用单层外延构造，可实现FET的细微化，而且在纵向上控制了不纯物浓度，从而实现了高压和低导通电阻的并存。与多层外延相比，可将高温下的Ron变化控制在最小范围。随着开关噪声的低EMC等需求增加，东芝还准备了控制开关速度dv/dt降低噪声Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速开关特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H这两种工艺来满足客户的需求。