三菱电机功率模块技术研讨会圆满落幕
发布日期：2017-05-03 11:46浏览次数：63105
4月27日，淅淅沥沥的小雨也未能阻挡专业人士对功率半导体行业前沿技术的关注热情，由大中国区三菱电机半导体主办的“功率模块技术研讨会”在深圳凯宾斯基酒店拉开了帷幕。三菱电机从事开发与生产功率半导体已有60年的历史，在此领域持续性、创造性的研究与开发奠定了三菱电机半导体的领先地位。
三菱电机半导体功率模块技术研讨会现场
会议伊始，大中国区三菱电机半导体总经理四个所大亮致开幕辞。他在简要回顾了三菱电机半导体的发展历史后，对出席本次研讨会的嘉宾表示了诚挚感谢。四个所大亮表示，感谢大家一直以来的关注与支持，希望通过研讨会的形式，让大家深入了解三菱电机半导体最新的模块产品、应用技术，以及致力于为用户提供具备卓越品质的产品和技术的发展目标。
大中国区三菱电机半导体总经理四个所大亮致开幕辞
会上，清华大学电机系知名教授、IEEE PELS北京分会主席赵争鸣老师受邀出席，并作了《电力电子技术的发展趋势》主题演讲。他以2016年电力电子技术领域研究热点和发展特点为切入口，着重阐述了能源互联网时代的到来给电力电子行业带来的全新机遇与挑战。他报告中源于实验室的详实数据和最新的研究理论，赢得了现场嘉宾的一致关注。
清华大学赵争鸣教授作主题演讲
同时，三菱电机半导体也带来了嘉宾期待已久的亮点产品与技术——工业和新能源用第7代IGBT模块。
工业和新能源用第7代IGBT模块采用了NX/STD封装结构，符合高性能、使用更方便的封装理念，可以支持多样化的客户需求。采用NX封装结构的第7代IGBT模块相较于第6代，重量减少15%，在焊接型端子的基础上，新增压接型端子；而采用STD封装结构的第7代IGBT模块则表现更为卓越，比第6代在内部电感上减小30%，封装尺寸上减小20%，重量上减小45%，且主端子与竞争对手的兼容，实现了竞争优势的大幅度提高。
除此之外，三菱电机半导体的资深工程师还与现场嘉宾分享了其它功率模块的最新产品及相关应用技术，包括EV/HEV专用IGBT模块及应用、三电平IGBT模块及应用、X系列HVIGBT及应用、第7代IPM及应用、最新DIPIPM™及应用、SiC功率模块及应用、IGBT/HVIGBT及DIPIPM™的应用要点等。
全神贯注的现场参会嘉宾
会议结束后，众多嘉宾意犹未尽，纷纷就功率半导体相关专业技术问题与三菱电机半导体资深工程师进行深层次的切磋交流。最后，在热烈的掌声中，本次研讨会圆满落下了帷幕。
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