UVLED的发光功率较低，其主要原因是受制于管芯制作水平、材料和封装技术等。目前，紫外LED封装主要有环氧树脂封装和金属与玻璃透镜两种形式，前者主要应用于400nm左右的近紫外LED，但材料受紫外辐照的老化影响较大。后者主要应用于波长小于380nm的UVLED。GaN、蓝宝石等材料与空气存在较大的折射率差而引起全反射，限制了光效，导致封装后出光效率低。
    美国Sandia国家实验室开发的一种高功率紫外发光二极管（LED），采用倒装晶片和导热衬底，可增加亮度和效率。在直流工作方式下，其一个器件能够提供1.3mW的290nm连续辐射，而另一个能提供0.4mW的275nm辐射，具有波形系数小、几乎不需要维护和极低功耗的特点，适用于非视线隐蔽通信用的发射器、手持式生物传感器和固态照明等场合。
    高功率LED（HP LED）能工作在数百毫安（普通LED的工作电流为几十毫安），有些甚至超过1A的电流，因此能发出很强的光。因为过热是破坏性的，HP LED的效率必须高从而使发热最小，并需要安装在散热片上来散热，否则热量没有散掉的HP LED会在几秒内烧毁。
因为使用一种GaN活性层制作高效发光器件很困难，商用高功率紫外（波长大于290nm）、蓝/绿光发射二极管均使用InGaN活性层。具有1mW输出功率、波长400nm的InGaN/AlGaN双异质结构紫外发光二极管，其外部量子效率已实现7.5%