系统用途
　　本测试系统不仅满足大功率VDMOS的GFS(跨导)测试、IGBT功率参数的测试，还涵盖中小功率半导体器件的测试，适用于半导体器件生产厂家进行圆片中测或封装成测，各类整机厂家、科研院所的质量检测部门进行入厂检验、可靠性分析测试
　　测试原理符合相应的国家标准、国家军用标准。 　　系统特点
　　◆ PC机为系统的主控机
　　◆ 菜单式测试程序编辑软件操作简便
　　◆ 预先连接测试自动识别NPN/PNP
　　◆ 0～±2000V程控高压源(可扩展到±3000V)
　　◆ 高达±500A程控高流源(可扩展到±1000A)
　　◆ ±40V/±40A(可扩展到±80V、±50A)的可编程电压电流源通过测试系统先进的硬件闭环测试方法实现功率VDMOS的GFS跨导的测试
　　◆ 测试漏流最小分辨率达6.1pA
　　◆ 四线开尔文连接保证加载测量的准确
　　◆ 通过IEEE488接口连接校准数字表传递国家 计量标准对系统进行校验
　　◆ Prober接口、Handler接口可选(16Bin)
　　测试对象
　　二极管/稳压管/恒流二极管/整流桥/瞬态抑制管： BVR、IR、VF、VZ、RZ
　　三极管： BVCBO、BVCEO、BVCES、BVCER、BVEBO、HFE、ICBO、ICBS、ICEO、 ICES、ICER、IEBO、VBEF、VBCF、VBESAT、VCESAT
　　可控硅： BVGKO、IAKF、IAKR、IGKO、IGT、
　　IH、IL、VGT、VON
　　场效应管： BVDSO、BVDSS、BVDSR、BVDGO、BVGDS、BVGSO、BVGSS、GFS、IDSO、IDSS、IDSR、IG、IGDO、IGSO、IGSS、RDS(on)、VDS(on)、VGS、VGS(th)、VP
　　IGBT： BVCES、BVCGR、BVGES、ICES、IGES、VCESAT、VGETH、VGS(off)
　　达林顿矩阵：ICEX、 IIN(ON)、 IIN(Off)、 VIN(on)、 IR、VCESAT、BVR、HFE、ICEO
　　单结晶体管：Iv、Vv、IP、VP、VEB1、ETA、RBB、IEB1O、IB2
　　光敏二、三极管：ID、IL、VOC、 ISC、BV、BVCE
　　光 耦： CTR、BVECO、BVCBO、BVCEO、ICBO、ICEO、HFE、VBESAT、VCESAT、IR、IAKF、IAKR 　　系统用途
　　本测试系统用于MOSFET、IGBT的动态参数测试。测试原理符合相应的国家标准、国家军用标准，系统为模块化、开放式结构，具有升级扩展潜能。 　　系统特点
　　◆ PC机为系统的主控机
　　◆ 菜单式测试程序编辑软件操作简便
　　◆ 正负脉冲激励源
　　◆ 美国Lecroy 400M存储示波器用于时间测量，最小时间测量分辨率200pS
　　◆ 漏极电压达600V
　　◆ 漏极电流达200A
　　◆ 通过IEEE488接口连接校准数字表传递国家计量标准对系统进行校验
　　◆ Prober接口、Handler接口可选(16Bin)
　　◆ 可为用户提供丰富的测试适配器
　　测试参数
　　开启时间Ton;关断时间Toff;延迟时间Td;存储时间Ts;上升时间Tr;下降时间Tf;栅极总电荷Qg;栅源充电电量Qgs;栅漏充电电量Qgd等参数。